Sisteme de reactoare epitaxiale | Thermco Systems

Configurații disponibile:

  • EpiPro 5000: încărcare manuală, reactor dual cu inducție și generator RF comutabil

  • EpiPro 5000IG: similar, dar cu alimentare RF dedicată pentru fiecare reactor, pentru throughput mai mare

  • EpiPro 8000: încărcare automată, reactor dual, generator RF comutabil

  • EpiPro 8000IG: auto, dual reactor + alimentare RF dedicată pentru fiecare, pentru și mai mare throughput
    Toate vin cu PLC modernizat, interfață Windows touch‑screen GUI, și interfață SECS/GEM

Resurse:

Descriere

Familia de sisteme EpiPro răspunde necesității industriei pentru procesare de mare volum și cost operare redus în epitaxia pe siliciu. Aceste soluții batch cu două stații sunt concepute pentru cerințele de producție actuale și oferă atât încărcare / descărcare manuală, cât și opțiuni fully automatizate de manipulare a waferei.

Elemente de design:

  • Flexibilitate ridicată de proces; materiale dopate P și N

  • Substraturi de 100–200 mm

  • Grosimi de epitaxie de la < 5 µm până la > 100 µm

  • Rezistivitate de la 0.02 Ω cm la 50 Ω cm

  • Sisteme cu două camere de proces

  • Variante IG cu dublă alimentare RF pentru încălzitoare inductive

  • Cost total de operare redus; sistem unic de injecție dopant

  • Caracteristici de cameră brevetate

Informații suplimentare
Producator

NU AI GASIT CE CAUTAI?

Echipa noastra este aici sa te ajute! Suna-ne sau lasa-ne un mesaj si un consultant Apel Laser va fi bucuros sa raspunda intrebarilor tale si sa gaseasca solutii personalizate pentru tine.

Cum ati auzit de noi?